这是全球第二座、亚洲第一座全自动化化合物芯片工厂。

近日，格力电器董事长兼总裁董明珠在羊城晚报两会直播间上透露，目前格力正瞄准更高性能的第三代半导体前沿领域，投资近百亿元建设碳化硅芯片工厂，这是全球第二座、亚洲第一座全自动化化合物芯片工厂，今年6月可以正式投产。

公开资料显示，2023年6月，珠海市生态环境局在官网披露了“格力电子元器件扩产项目环境影响报告表受理公告”，该项目现已顺利过审。

环评文件表明，该项目总用地面积约为20万平方米，施工周期为12个月，将新建3座厂房及其配套建筑设施，其中生产厂房1计划安装6英寸SiC芯片生产线，生产厂房2计划安装6英寸晶圆封装测试生产线，生产厂房3作为二期预留工程。

预计项目建成后，将新建1条年产24万片的6英寸SiC芯片及封装测试生产线，并打造电子器件、封测一体化SiC生产线，为实现我国半导体产业全面自主可控提供助力。

事实上，格力前几年就陆续展开在SiC领域的布局。早在2018年，格力就出资10亿元设立珠海零边界集成电路有限公司；与长安汽车等8家企业合资成立湖南国芯半导体科技有限公司；还斥资30亿参与闻泰科技对安世半导体的收购项目。

2019年，格力电器11月11日晚间发布公告称，公司与三安光电当日签订了《股份认购合同》。公司拟以自有资金20亿元，认购三安光电本次发行的A股股票。本次投资后，按照三安光电本次发行股票数量上限计算，公司将持有三安光电4.76%的股份。

格力电器表示，三安光电是LED芯片龙头，在化合物半导体领域具有先发优势。此次对三安光电的战略性股权投资，有助于公司中央空调、智能装备、精密模具、光伏及储能等板块打入半导体制造行业，同时通过与三安光电在半导体领域的合作研发，有助于进一步提升公司在相关领域的技术积累。

近些年，格力也陆续与平煤神马探索尼龙、储能及SiC半导体领域合作；与数字光芯、电科星拓等企业签约芯片项目。

此外，格力相继于2021年和2023年公开了“SiC肖特基半导体器件”“SiC用驱动电路和驱动装置”两项专利，表明其在SiC功率器件研发及使用上获得了一定突破。

中国SIC晶圆厂加速

近年来，随着碳化硅（SiC）基板需求的持续激增，降低SiC成本的呼声日益强烈，最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高，达到50%左右。

这意味着基板领域的成本降低和利用率的提高尤为重要。因此，大尺寸基板由于其成本优势，逐渐被人们寄予厚望。

根据中国SiC衬底制造商TankeBlue半导体的测算，从4英寸升级到6英寸预计单片成本可降低50%；从6英寸到8英寸，成本预计还能再降低35%。

同时，8英寸基板可以生产更多芯片，从而减少边缘浪费。简单来说，8英寸基板的利用率更高，这也是各大厂商积极研发的主要原因。

目前，6英寸SiC基板仍占主导地位，但8英寸基板已开始渗透市场。例如，2023年7月，Wolfspeed宣布其8英寸晶圆厂已开始向中国客户出货SiC MOSFET，表明其8英寸SiC衬底已批量出货。TankeBlue半导体也已开始小规模出货8英寸基板，计划到2024年实现中规模出货。

中国厂商，目前已超10家企业8英寸SiC衬底进入了送样、小批量生产阶段，包括：烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、湖南三安半导体、超芯星、盛新材料（中国台湾）、粤海金。

除了上述提及的厂商，目前还有不少在研8英寸衬底的中国厂商，如环球晶圆（中国台湾）、东尼电子、合盛硅业、天成半导体、平煤神马合资公司中宜创芯等。

投资方面，烁科晶体、南砂晶圆、天岳先进、天科合达、乾晶半导体、科友半导体、三安光电等均有8英寸衬底相关扩产计划，旨在提前为后续中下游客户做好材料产能供应的准备。而2024年开年以来，已有8英寸衬底项目传来进展：南砂晶圆旗下中晶芯源8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案，该项目于2023年6月12日落地山东济南，计划在2025年满产达产。